小米實現3nm芯片研發設計突破！半導體材料ETF（562590）盤中持續溢價

截至5月19日收盤，中證半導體材料設備主題指數上漲0.68%，成分股富創精密上漲8.08%，三佳科技上漲4.85%，華海誠科上漲4.33%，金宏氣體上漲3.63%，滬硅產業上漲2.86%。半導體材料ETF（562590）上漲0.47%，最新價報1.07元。

流動性方面，半導體材料ETF盤中換手2.31%，成交738.39萬元。整體來看，半導體材料ETF（562590）盤中交易活躍，持續出現溢價。份額方面，半導體材料ETF最新份額達3.00億份，創近1月新高。

從資金凈流入方面來看，半導體材料ETF近6天獲得連續資金凈流入，最高單日獲得542.63萬元凈流入，合計“吸金”1732.02萬元，日均凈流入達288.67萬元。

消息方面，今日小米集團創始人、董事長兼CEO雷軍在個人社交平臺發布消息，小米自主研發設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1即將亮相。

2024年，中國集成電路出口額首次突破萬億元大關，從設計、制造到封裝測試，我國半導體產業鏈各個環節都取得了顯著進展，小米突破3nm先進制程設計是我國半導體產業又一個令人振奮的好消息。

半導體材料ETF（562590）及其聯接基金（A/C：020356；020357）緊密跟蹤中證半導體材料設備指數，指數中半導體設備（55.8%）、半導體材料（21.3%）占比靠前，合計權重超77%，充分聚焦指數主題，錨定半導體產業發展，精準錨定芯片制造相關領域，覆蓋光刻膠、大硅片、刻蝕機等關鍵賽道，直擊芯片產業國產化剛需，為投資者捕捉半導體產業升級紅利。