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氮化鎵引領AI算力新基建,中國科技創新反超加速

源媒匯 2025-03-10 14:04:33

作者|胡青木

編輯|蘇淮

根據上交所及深交所的公告,近期在香港上市的第三代半導體企業英諾賽科,于2025年3月10日正式納入港股通生效。

作為全球氮化鎵功率半導體龍頭企業,英諾賽科于2024年12月30日上市后,股價一路高歌猛進,迄今漲幅一度超110%,大幅跑贏恒生指數,彰顯出其強勁的增長動力與市場潛力。

英諾賽科股價暴漲的背后,折射出全球資金對中國創新科技企業的青睞,與兩年前全球投資機構對港股市場的悲觀預期截然相反,全球資金對中國優質科技資產正迎來重估時刻。

資本市場對中國企業投資態度的大幅度轉變,背后是中國科技企業近年來的創新實力和價值正迅速被市場認可。正如德意志銀行等外資機構觀點,AI、新能源等新興技術浪潮興起,不僅大幅擴展全球產業新的增長空間和應用邊界,也為中國科技企業帶來了彎道超車的機遇。

中國科技力量的創新反超

在2025年全球科技版圖上,中國企業的創新范式正引發深刻變革。今年1月,DeepSeek-R1大模型以7天破億用戶的“中國速度”震撼全球,通過強化學習數學優化、混合專家模型與知識蒸餾技術,將算力需求壓縮至傳統路徑的1/5,實現“低成本高產出”的工程奇跡。

在第三代半導體這片曾被歐美壟斷三十年的戰場上,英諾賽科同樣書寫了一段“逆襲傳奇”。這家2017年成立的中國企業,以8英寸硅基氮化鎵晶圓量產技術為支點,不僅撬動了全球功率半導體格局,更讓中國首次站上氮化鎵產業的制高點。

公司突破傳統思維禁錮,在全球首次推動8英寸晶圓大規模商業化;基于對全球功率半導體行業規律的深刻洞察,堅持IDM經營模式,持續構建企業商業競爭“護城河”;發揮中國研發、制造人才優勢,開展大量自主研發;積極推進全球化布局,與全球供應商、客戶共建開放的氮化鎵應用生態,在技術封鎖中撕開突破口:產品市占率躍居全球第一,晶圓良率遠遠超越同行,產品應用生態豐富。

德意志銀行將DeepSeek的崛起稱之為“中國的斯普特尼克時刻”,DeepSeek的開源算法革命、英諾賽科的氮化鎵突圍、宇樹科技的極智機器人集群,看似分屬不同賽道,實則共享著中國式創新的底層密碼——用系統級創新重構產業規則。三家企業都在證明唯有產業鏈自主可控,才能將技術突破轉化為產業領導力。

這些新銳中國企業的迅速崛起,體現的是中國式創新的生命力與競爭力,依托極具前瞻性的戰略發展思維、面向全球市場開放包容的經營理念、對研發長期持續的專注投入、本土供應鏈優勢等,不斷驅動他們從邊緣走向核心,從技術追隨者反超成為產業引領者,重塑全球科技競爭格局。

產業鏈自主可控

本土供應鏈的完善與發展能夠帶動上下游產業協同共進,創造大量就業崗位,促進技術創新與知識傳播,提升國家整體經濟實力和競爭力。

IDM(垂直整合制造)模式因其全產業鏈布局的特性,需承擔高額的前期資本投入、產能爬坡周期長以及研發費用持續攀升的壓力。行業數據顯示,傳統IDM企業通常需要8-10年實現盈利。

相比之下,英諾賽科采用IDM經營模式,從設計到制造再到應用,全產業鏈自主可控,使得英諾賽科具備強大的本土供應鏈整合能力,能夠快速響應全球市場變化和客戶需求,推動技術創新在整個產業鏈中的傳遞與應用。設計到制造產生深度協同效應,體現在應用端:8英寸晶圓單顆芯片成本較傳統6英寸方案降低30%;截至2024年6月30日,以折算氮化鎵分立器件計,產品累計出貨量超過8.5億顆,晶圓良率達到95%,超越同行。

英諾賽科產品覆蓋消費電子、汽車電子、數據中心等高增長領域。2023年其下游市場如新能源汽車、數據中心等需求爆發直接推動其收入三年增長7.7倍。公司借此通過優化產線自動化率、提升8英寸晶圓利用率顯著攤薄制造成本。2024年上半年毛利率從-76.2%收窄至-21.6%,虧損同比縮減一半以上,展現出強于傳統IDM的財務韌性。

從英諾賽科的財務表現來看,該公司或許可以用較短的時間,就能走完半導體行業其他IDM企業通常需要數十年才走完的盈利之路。

此外,面對國際巨頭的競爭,英諾賽科憑借700多項專利及專利申請構筑技術護城河。根據弗若斯特沙利文的數據,2023年,以折算氮化鎵分立器件收入計,這種技術卡位策略使其在全球氮化鎵功率半導體市場斬獲超過1/3的份額,并成功反制國際巨頭的專利圍剿。

在此背景下,公司憑借自身的技術壁壘與國內外約140名客戶建立了合作,包括了領先的半導體制造服務商、專門從事可再生能源技術的高科技公司以及汽車OEM的一級供應商等。

英諾賽科的成功驗證了第三代半導體領域IDM模式的可行性。其核心在于將技術壁壘、需求紅利與資本效率三者動態匹配,打破了傳統IDM“重資產-長周期”的困局。隨著氮化鎵在高壓高功率場景的滲透率提升,公司有望在2026年前后實現盈虧平衡。

對于國內外機構而言,通過投資英諾賽科,有望在其國際化高速成長進程中收獲巨額紅利。而從長遠的產業發展視角來看,英諾賽科憑借在AI、電動汽車等領域的前瞻性布局與技術優勢,正深度融入全球新興產業發展浪潮。

廣闊的產業應用前景

AI技術飛速發展,大規模機器學習訓練和實時推理應用,對算力要求極高,AI算力需求呈爆發式增長,數據中心能耗問題或將成為AI發展的核心瓶頸。

傳統功率半導體在高算力場景中能耗高、轉換效率低,氮化鎵功率半導體則憑借高頻、低導通電阻和低反向恢復損耗等優勢,成為解決能源效率問題的關鍵。在數據中心電源裝置里,氮化鎵能降低能量損耗、提升轉換效率、減小器件尺寸,其服務器電源可以在提高輸出功率的同時,節省能源。

英諾賽科技術優勢顯著,目前公司已與多家AI企業和數據中心運營商合作,產品應用份額不斷擴大。

在電動汽車領域,高壓平臺的普及推動了氮化鎵需求爆發。

全球電動汽車行業發展迅猛,且對續航、充電速度和車輛性能要求越來越高。氮化鎵芯片具有諸多突出優勢,例如低寄生電容、低功率損耗、快速開關速度和高開關頻率,可以提高車載充電器的效率。采用氮化鎵芯片的車載雷達,具有更遠的測量范圍和卓越的分辨率。憑借優異的開關特性和高頻能力,氮化鎵芯片造就了更小、更輕的電源轉換器,而且最大限度地減少與電感相關的損耗提高電源管理系統效率。

英諾賽科積極布局,與多家知名電動汽車制造商深度合作,開發的氮化鎵功率芯片產品已在部分車型應用,效果良好,未來有望在該領域實現更大突破。

人形機器人應用場景繁多,對機器人自由度與精細控制要求極高,單臺機器人中通常會部署大量伺服電機和控制系統,氮化鎵芯片獨特的高功率密度和高頻特性,可以提升機器人伺服電機效率和響應速度,減少開關損耗,應用潛力巨大。

在家電市場,隨著消費者對智能化、節能化需求增加,以空調、電視、洗衣機為代表的家電產品,對氮化鎵芯片存在廣泛需求,采用氮化鎵芯片的空調,電機更小型化、輕量化,空調頻率轉換更絲滑,靜音效果突出,給消費者帶來更舒適體驗。

納入港股通后,隨著大量增量資金將涌入,將迅速提升英諾賽科的市場關注度和交易活躍度。短期內,資金的推動效應有望直接促使股價上漲,吸引更多投資者目光,在資本市場中掀起熱潮。

從中長期來看,這不僅有利于公司估值的優化與穩定,使其在資本市場的價值得到更合理的體現;還能為公司在能源革命相關業務上提供堅實的資金保障,助力其在技術研發上持續深耕,不斷突破技術瓶頸,開發出更高效、更適配能源領域需求的氮化鎵產品。

同時,在產能擴張方面,充足的資金將支持英諾賽科擴大生產規模,持續迭代工藝,提升生產效率,從而在全球能源科技領域中樹立起新的行業標桿,引領行業發展潮流。

氮化鎵技術正成為AI服務器、機器人和電動汽車等前沿領域顛覆性變革的核心驅動力。隨著AI算力需求呈指數級增長,高密度電源系統對效率、散熱及響應速度的要求已遠超傳統硅基器件的極限。

英諾賽科的這種“成本優勢+創新密度”的雙引擎,使其產品兼具高性能與高性價比,避免了光伏和碳化硅行業因同質化導致的低價內卷。公司在多領域的突破表明,氮化鎵技術已從“性能替代”升級為“系統重構”,其價值絕非僅靠市場規模(如2028年500億預測)衡量,而是成為智能化與低碳化轉型的“技術基座”。

未來,隨著技術的拓展,英諾賽科將持續引領氮化鎵從“器件替代”走向“系統級創新”,在超高壓汽車電驅、工業變頻器等萬億級市場開啟全新賽道,重新定義功率半導體的產業價值。

責編 蒲禎

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