韓國：優(yōu)先支持AI、6G等新一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，確保存儲及代工“超級差距”

韓聯(lián)社5月9日消息，韓國科學(xué)技術(shù)信息通信部（科技部）9日發(fā)布半導(dǎo)體未來技術(shù)路線圖，提出未來10年確保在半導(dǎo)體存儲器和晶圓代工方面實(shí)現(xiàn)超級差距，在系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域拉開新差距的目標(biāo)，并啟動(dòng)半導(dǎo)體未來技術(shù)民官協(xié)商機(jī)制。

這份路線圖涉及45項(xiàng)核心技術(shù)，以開發(fā)新型存儲器和新一代元器件，人工智能、第六代移動(dòng)通信技術(shù)（6G）、電力、車載半導(dǎo)體設(shè)計(jì)核心技術(shù)，以及超微化和尖端封裝工藝核心技術(shù)為目標(biāo)，爭取在10年內(nèi)掌握有關(guān)技術(shù)。

新元器件方面，將重點(diǎn)培養(yǎng)強(qiáng)電介質(zhì)器件、磁性器件、憶阻器三大新興技術(shù)，進(jìn)而開發(fā)下一代存儲器器件。設(shè)計(jì)方面，將優(yōu)先支持人工智能和6G等新一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，政府將從2025年以后集中扶持車載半導(dǎo)體技術(shù)，實(shí)現(xiàn)未來出行目標(biāo)。工藝方面，為提升晶圓代工的競爭力，決定開發(fā)原子層沉積、異質(zhì)集成、三維（3D）封裝等技術(shù)。（界面）