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佰維存儲:擬定增募資建設的晶圓級先進封測項目可構建HBM實現的封裝技術基礎

2023-11-21 17:35:29

每經AI快訊,佰維存儲近日在接受調研時表示,公司擬定增募資建設的晶圓級先進封測項目可以構建HBM實現的封裝技術基礎。公司掌握16層疊Die、30~40μm超薄Die、多芯片異構集成等先進封裝工藝,為NAND Flash芯片、DRAM芯片和SiP封裝芯片的大規模量產提供支持,使得存儲芯片在體積、散熱、電磁兼容性、可靠性、存儲容量等方面擁有較強的市場競爭力。

責編 胡玲

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