本土廠商強強聯合 PMIC市場即將掀起新浪潮

2021年8月23日，英唐智控公眾號發布文章稱，其公司董事長胡慶周一行應邀出席參加了其合作伙伴中天弘宇于22日在上海舉行的“自主研發、國際首創——先進存儲技術發布會”。

據英唐智控稱，中天弘宇副總裁、CTO聶虹向與會來賓詳細介紹了其先進存儲技術的創新原理、優勢特點、產業化應用。該技術由傳統的“熱電子注入”（CHE）升級為“二次電子倍增注入浮柵”，并創造性地對閃存存儲單元結構進行了重構，使新的存儲單元突破短溝道穿通的難題并兼容標準的邏輯制程。運用這一技術的閃存產品，有著面積小、低功耗、大容量、低成本的特點，在汽車、工業、5G的領域應用前景廣闊。

據了解，本次發布會可謂眾星云集，不但工程院倪光南院士通過視頻致辭，新思科技中國董事長兼全球資深副總裁葛群、國際半導體產業協會中國區總裁居龍、南芯半導體市場總監劉崇、資深工藝專家官浩出席參與座談，上海市、浦東新區等相關部門領導也應邀出席并致辭。對于本次發布的先進存儲技術，倪光南院士表示：“本次發布的先進存儲技術是一項重大發明，實現了中國存儲器底層技術零的突破，希望企業與集成電路行業企業一起發奮努力，設計創新更多自主原創的產品，提高自主原創存儲器的市場份額。”眾多重量級的行業、技術專家與政府領導的到會見證，可見中天弘宇對其原創發明技術底氣十足。

據英唐智控稱，聶虹在本次發布會上特意提到，中天弘宇將以電源管理芯片（PMIC）作為新技術的市場切入點，相關產品已經在某頭部代工廠90nmBCD工藝平臺上的流片驗證成功。據行業人士分析，本次中天弘宇如此聲勢浩大為其自主研發的先進存儲技術廣而告之，很大可能是因為其創新技術的產業化應用已經進入到實質性階段，其突破的90nm制程BCD工藝是當前代工廠中主流BCD工藝平臺（130nm-180nm）較先進的，意味著中天弘宇擁有明顯的技術和成本優勢，急需在品牌推廣和市場拓展方面發力，以便加快其技術的產業化應用。擁有豐富客戶資源和強大分銷渠道優勢的英唐智控自然而然是中天弘宇理想的合作伙伴。根據此前英唐智控公告，英唐智控于2020年11月與中天弘宇簽署了《合作協議》，協議主要內容正是雙方將結合英唐智控在汽車、工業及移動通信領域的客戶資源和渠道分銷優勢、中天弘宇先進存儲技術在90nmBCD工藝平臺的技術優勢，雙方將聯合開發電源管理類芯片，可見雙方早已是“心有靈犀”，鎖定了彼此的優勢資源。

根據前瞻產業研究院的統計和預測，全球電源管理芯片市場規模2018年為250億美元，預計到2026年全球市場規模將達到565億美元，2018-2026期間年復合增長率(CAGR)為10.69%，其中以中國大陸為主的亞太地區是未來最大增長區域市場。本次技術發布會的召開，預示著雙方的合作很可能即將進入實質階段。擁有本土客戶資源優勢和原創技術優勢的英唐智控與中天弘宇的聯合，是否會激起電源管理芯片市場的新浪潮，拭目以待。

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